Przekształtnik matrycowy w technologii GaN sterowany predykcyjnie
05.202429
dr inż. Krzysztof Nowaszewski
KEEiE, WE-140, 9:15
Podczas prezentacji zostanie omówiona:
Struktura przekształtnika matrycowego 3×3 z obciążeniem RL.
Łącznik dwukierunkowy z tranzystorów GaN e-HEMT:
wybór tranzystorów do łącznika dwukierunkowego,
komutacja 4-krokowa.
Metoda sterowania predykcyjnego P i Q.
Badania przekształtnika matrycowego 3×3:
z obciążeniem RL;
w konfiguracji G2G.
Podziel się:
×
W ramach naszego serwisu www stosujemy pliki cookies zapisywane na urządzeniu użytkownika w celu dostosowania zachowania serwisu do indywidualnych preferencji użytkownika oraz w celach statystycznych. Użytkownik ma możliwość samodzielnej zmiany ustawień dotyczących cookies w swojej przeglądarce internetowej. Więcej informacji można znaleźć w Polityce Prywatności Korzystając ze strony wyrażają Państwo zgodę na używanie plików cookies, zgodnie z ustawieniami przeglądarki. Akceptuję Politykę prywatności i wykorzystania plików cookies w serwisie.